日本代理OTSUKA大塚分光干涉式晶圓測厚儀

日本代理OTSUKA大塚分光干涉式晶圓測厚儀

分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3

◎非接觸、非破壞式高速高精度量測晶圓厚度
◎即時檢測WAFER基板于研磨制程中的膜厚(厚度范圍6～1300μm※矽換算)
◎高速μSec等級量測即時檢測，采用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
◎WAFER基板于研磨制程中的膜厚
◎除了晶圓也可量測各種樹酯膜等
◎玻璃基板于減薄制程中的厚度變化(強酸環境中)
◎Load Port嵌入式專用檢出器
◎能因應不同產業和各種情況膜厚分光器(厚度范圍10～2600μm※SiO2換算)

?光學式以非接觸?非破壞量測厚度（量測點位大小：min.約20μm）
?體積小、省空間、設備安裝簡易（123 × 128 × 224mm）
?采用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
?能以高速量測（最快5kHz）并監控即時研磨厚度
?能實現長距離Working distance（以50mm）量測、崁入產線更加簡單
?使用TCP/IP通訊來控制以LAN來與Host連線
?可對應多層厚度量測
?在短暫貼合的情況下也能量測各層厚度

分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3使用特殊波段坡長讀取矽晶圓、玻璃等基材厚度。量測快速可直接架設于研磨機內，實時監控研磨厚度結果。針對半導體底材材料的多樣化&3D IC堆疊厚度減薄的需求來開發的量測方法，對于目前市面上其他用來量測厚度的方式, 例如, 渦電流, 雷射變位計(段差計)以外提供另外一種量測方式, 而在精度以及穩定性上更勝, 并能支援real time及時研磨量測。

 

厚度測定（最多５層）
　因應不同量測對象，以矽晶圓厚度為例可量測6~1300μm。

 

　超高速量測，可適應快速晶圓研磨機臺轉速，直接架設于晶圓厚度研磨機中。

 

　量測點位微小，在各種粗糙面等也能穩定量測晶圓厚度。

 

能直接穿透真空或是液體量測晶圓厚度。