Crossbeam 350 /550 聚焦離子束和掃描電子顯微鏡 – FIB-SEM

掃描電子顯微鏡（SEM）

Gemini I 鏡筒

Gemini II 鏡筒

可變氣壓選項(xiàng)

可選 Tandem decel

電子束流：5 pA – 100 nA

電子束流：10 pA – 100 nA

聚焦離子束
（FIB）

分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計(jì)方法）

分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計(jì)方法）

分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可選）

分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA

探測(cè)器

Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可變壓力二次電子探測(cè)器）、SESI（二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM（掃描透射電子探測(cè)器）、aBSD（背散射探測(cè)器）

Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探測(cè)器）、SESI（二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM（掃描透射電子探測(cè)器）、aBSD（背散射探測(cè)器）和 CL（陰極熒光探測(cè)器）

樣品倉(cāng)規(guī)格和端口

標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)配有 18 個(gè)可配置接口

標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)配有 18 個(gè)可配置接口 / 大樣品倉(cāng)配有 22 個(gè)可配置接口

載物臺(tái)

X /Y = 100 mm

X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm

Z = 50 mm，Z' = 13 mm

Z = 50 mm，Z' = 13 mm / Z = 50 mm，Z' = 20 mm

T = -4° 至 70°，R = 360°

T = -4° 至 70°，R = 360° /  T = -15° 至 70°，R = 360°

電荷控制

電子束流槍

電子束流槍

局部電荷中和器

局部電荷中和器

可變壓力

-

氣體

單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O

單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O

多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2

多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2

存儲(chǔ)分辨率

32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k）

32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k）

可選分析附件

EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件

EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件

優(yōu)勢(shì)

因采用可變壓力模式及廣泛的原位實(shí)驗(yàn)，可大幅擴(kuò)大樣品兼容性。

以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。